Главная
Новости
Строительство
Ремонт
Дизайн и интерьер




07.01.2022


07.01.2022


06.01.2022


03.01.2022


28.12.2021





Яндекс.Метрика





BSIM4

21.08.2022

BSIM4 — новое поколение физических моделей транзисторов, с расширенными возможностями. Моделирует планарные МОП-транзисторы, изготовленные по техпроцессам порядка 100 нм и более тонким. Примеры физических моделей: BSIM3 (BSIM4), EKV, HSPICE Level 28. BSIM4 появился в 2000 году.

Новые возможности BSIM4

В 2004 году университет Berkeley представил BSIM4 Version 4.0 с новыми возможностями.

  • Подвижная модель, которая объясняет эффект Кулоновского рассеивания, так же как зависимость длины канала подвижности вследствие сильного легирования.
  • Расширенная модель сопротивления подложки (rbodyMod = 2), у которой увеличена длина и ширина канала, и количество контактов.
  • Параметры сопротивления затвора, XGW, NGCON, который теперь могут быть заданы как отдельные параметры (XGL все ещё, моделируемый параметр).
  • Дополнительная температурные свойства параметров модели :VOFF, VFBSDOFF.
  • Новый параметр DELVTO, который может использоваться, чтобы показывать изменение порогового напряжения.
  • Новая технология компактного размещения, увеличивает количество каналов связи, повышая производительность модели.
  • Гибкая подложка сопротивления цепи для RF (радиочастотного) моделирования.
  • Новая точная модель теплового шума и его распределения для вынужденного шума затвора.
  • Не-квази-статичная (NQS) модель, включающая стабильное RF (радиочастотное) моделирование и AC моделирование, вычисляющая (NQS) эффект в ёмкостном сопротивлении.
  • Точная модель прямого туннелирования затвора для многих уровней диэлектриков затвора.
  • Обширная и гибкая геометрия паразитных моделей для различных подключений и устройств с большим количеством контактов.
  • Улучшенная модель эффекта объёмного заряда рассеивания.
  • Более точная и мобильная модель для прогнозируемого моделирования.
  • Расширенные диодные характеристики для подключений.
  • Полупроводниковый стабилитрон с и без ограничения тока.
  • Диэлектрическая проницаемость диэлектриков затвора являются параметрами модели.
  • Комплексная модель насыщения тока, включающая все механизмы регулирования и ограничения по скорости насыщения тока.